





空间辐射环境中的锁相环在set作用下,普军标电压调振荡器价格,将产生频率或相位偏差,普军标电压调振荡器生产厂家,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对set敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用tcad混合模拟的方法,针对180nm体硅cmos工艺下高频锁相环中的压控振荡器,研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器set响应的影响,通过分析失效机理,以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明,当器件工作在截止区时,入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子let的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高,轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。
在任何一种lc振荡器中,将压控可变电抗元件插入振荡回路就可形成lc压控振荡器。早期的压控可变电抗元件是电抗管,后来大都使用变容二极管。图 2是克拉泼型lc压控振荡器的原理电路。图中,t为晶体管,l为回路电感,c1、c2、cv为回路电容,普军标电压调振荡器厂家,cv为变容二极管反向偏置时呈现出的容量;c1、c2通常比cv大得多。当输入控制电压uc改变时,cv随之变化,普军标电压调振荡器,因而改变振荡频率。这种压控振荡器的输出频率与输入控制电压之间的关系为vco输出频率与控制电压关系式中c0是零反向偏压时变容二极管的电容量;φ 是变容二极管的结电压;γ 是结电容变化指数。为了得到线性控制特性,可以采取各种补偿措施。
振荡器自其诞生以来就一直在通信、电子、航海航空航天及医学等领域扮演重要的角色,具有广泛的用途。在无线电技术发展的初期,它就在发射机中用来产生高频 载波电压,在超外差---中用作本机振荡器,成为发射和接收设备的基本部件。随着电子技术的迅速发展,振荡器的用途也越来越广泛,但是与普通晶振价格想 比,价格往往高于普通晶振几倍。
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