选择振荡器时需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。cmos放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，hc04反相器门电路的功率耗散电容值是90pf。在4mhz、5v电源下工作时，相当于1.8ma的电源电流。再加上20pf的晶振负载电容，整个电源电流为2.2ma。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，差分晶振，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10ma ~60ma。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，差分晶振报价，如max7375，工作在4mhz时只需不到2ma的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。
接通电源后，三极管vt导通，有变化ic电流流过vt，它包含着微弱的0～∞各种频率的信号。这些信号加到c1、c2、x1构成的选频电路，选频电路从中选出f0信号，在x1、c1、c2两端有f0信号电压，差分晶振多少钱，取c2两端的f0信号电压反馈到vt的基-射极之间进行放大，放大后输出信号又加到选频电路，c1、c2两端的信号电压增大，c2两端的电压又送到vt基-射极，如此反复进行，vt输出的信号越来越大，而vt放大电路的放大倍数逐渐减小，差分晶振生产厂家，当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时，输出信号幅度保持稳定，---增大，该信号再送到其他的电路。
用外加电压对晶振的频率进行控制，这就是压控晶振，压控晶振广泛用于晶振频率的电校准，锁相晶振，模拟和数字温补晶振，频率调制和频率捷变技术中。压控频偏，压控线性和频率稳定度是压控晶振的3个关键点，对晶振频率进行压控总是以---晶振的频率稳定度为代价的，若非---，切不可对晶振的压控频偏提出过分要求。
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