





空间辐射环境中的锁相环在set作用下,高速传输压控振荡器生产厂家,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对set敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用tcad混合模拟的方法,针对180nm体硅cmos工艺下高频锁相环中的压控振荡器,研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器set响应的影响,通过分析失效机理,以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明,当器件工作在截止区时,入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子let的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高,高速传输压控振荡器,轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。
伴随采用新体制、新技术、新材料和新工艺的现代通信、雷达、电子干扰和电子侦察等电子信息系统的发展,对电子设备及其关键部件vco的要求也越来越高,而vco在端接不同负载阻抗下会出现频率偏移现象,高速传输压控振荡器报价,由此导---子设备工作不稳定甚至出现失效,产生---影响,因此解决vco的非线性特性(如频率牵引)测试问题并由此实现匹配显得日益重要和紧迫。
压控振荡器的类型有lc压控振荡器、rc压控振荡器和晶体压控振荡器。对压控振荡器的技术要求主要有:频率稳定度好,控制灵敏度高,调频范围宽,频偏与控制电压成线---并宜于集成等。晶体压控振荡器的频率稳定度高,高速传输压控振荡器厂家,但调频范围窄,rc压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽,lc压控振荡器居二者之间。
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